Yazılım ekran görüntüsü:
Yazılım detaylar:
Varactor Diyot Eğer doğrusal ani üzerinde hyperabrupt, tüm yaygın olarak kullanılan konsantrasyon profilleri kapsayan, çeşitli doping profillerden seçmenize izin verir. diyot gelen özelliği hesaplanır ve gösterilir.
Uygulamada, simülasyon programı tarafından üstlenilen teorik doping profilleri zorlukla elde edilebilir. Karmaşık difüzyon süreçleri sabit olmayan konsantrasyona bağlı difüzyon katsayılarını neden ve bu nedenle ideal bir dopings gelen sapmalara neden. Diyotlar genellikle birden difüzyon veya birden implantasyonu gibi karmaşık teknolojiler ile üretilmektedir.
Yorum Bulunamadı